Name: SSM3J56MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J56MFVL3FTR-ND
Price: 0.33511 CHF
Availability: InStock

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SSM3J56MFV,L3F
Codice DigiKey	SSM3J56MFVL3FTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM3J56MFVL3FCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM3J56MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM3J56MFV,L3F
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) A montaggio superficiale VESM
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM3J56MFV,L3F Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 390mohm a 800mA, 4,5V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±8V
Serie U-MOSVI	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 100 pF @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Contenitore del fornitore VESM
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore/involucro SOT-723
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 800mA (Ta)	Codice componente base SSM3J56
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.31000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.33511

SSM3J56MFV,L3F