Name: SSM6J212FE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J212FELFTR-ND
Price: 0.61617 CHF
Availability: OutOfStock

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Toshiba Semiconductor and Storage

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SSM6J212FE,LF
Codice DigiKey	SSM6J212FELFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6J212FELFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6J212FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6J212FE,LF
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 4 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale ES6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6J212FE,LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	40,7mohm a 3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	14.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	970 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	ES6
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Codice componente base	SSM6J212

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Nastrato in bobina (TR)