Name: SSM6J422TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J422TULFTR-ND
Price: 0.4324 CHF
Availability: InStock

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SSM6J422TU,LF
Codice DigiKey	SSM6J422TULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6J422TULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6J422TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6J422TU,LF
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 4 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale UF6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6J422TU,LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	42,7mohm a 3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	12.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	+6V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	840 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	UF6
Contenitore/involucro	6-SMD, conduttori piatti
Codice componente base	SSM6J422

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)