Name: SSM6J512NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J512NULFTR-ND
Price: 0.5405 CHF
Availability: InStock

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SSM6J512NU,LF
Codice DigiKey	SSM6J512NULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6J512NULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6J512NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6J512NU,LF
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 10 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale 6-UDFNB (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6J512NU,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19.5 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSVII	Vgs (max) ±10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400 pF @ 6 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,25W (Ta)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Contenitore del fornitore 6-UDFNB (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Ta)	Contenitore/involucro 6-WDFN piazzola esposta
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 8V	Codice componente base SSM6J512
RDSon (max) a Id, Vgs 16,2mohm a 4A, 8V

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.50000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.54050

SSM6J512NU,LF