SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Prodotti a semiconduttore discreti

SSM6K211FE,LF è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Consigliato dal produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

In magazzino: 0

Prezzo unitario : Fr. 0.00000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SSM6K211FE,LF
Codice DigiKey	SSM6K211FELFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6K211FELFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6K211FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6K211FE,LF
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 3,2 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale ES6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6K211FE,LF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIII
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	47mohm a 2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	510 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	ES6
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Codice componente base	SSM6K211