Name: SSM6K514NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K514NULFTR-ND
Price: 0.62698 CHF
Availability: OutOfStock

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SSM6K514NU,LF
Codice DigiKey	SSM6K514NULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6K514NULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6K514NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6K514NU,LF
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 12 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 6-UDFNB (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6K514NU,LF Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	12 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	11.6mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,4V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1110 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-UDFNB (2x2)
Contenitore/involucro	6-WDFN piazzola esposta
Codice componente base	SSM6K514

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.58000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.62698

SSM6K514NU,LF