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SSM6N42FE(TE85L,F) è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
SSM6N42FE(TE85L,F) | |
|---|---|
Codice DigiKey | SSM6N42FE(TE85LF)TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SSM6N42FE(TE85L,F) |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 800mA 150mW A montaggio superficiale ES6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 800mA | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 240mohm a 500mA, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 2nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 90pF a 10V | |
Potenza - Max | 150mW | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | SOT-563, SOT-666 | |
Contenitore del fornitore | ES6 | |
Codice componente base |
Obsoleto
Svizzera