
SSM6N813R,LXHF | |
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Codice DigiKey | 264-SSM6N813RLXHFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-SSM6N813RLXHFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-SSM6N813RLXHFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SSM6N813R,LXHF |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 3,5 A (Ta) 1,5W (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP-F |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Gate livello logico, comando 4,5V | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 3,5 A (Ta) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 112mohm a 3,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 100µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 3,6nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 242pF a 15V | |
Potenza - Max | 1,5W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 175°C | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 6-SMD, conduttori piatti | |
Contenitore del fornitore | 6-TSOP-F | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.94000 | Fr. 0.94 |
10 | Fr. 0.58700 | Fr. 5.87 |
100 | Fr. 0.38600 | Fr. 38.60 |
500 | Fr. 0.29948 | Fr. 149.74 |
1’000 | Fr. 0.27160 | Fr. 271.60 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.22910 | Fr. 687.30 |
6’000 | Fr. 0.21181 | Fr. 1’270.86 |
9’000 | Fr. 0.20300 | Fr. 1’827.00 |
15’000 | Fr. 0.20000 | Fr. 3’000.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.94000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.01614 |