Name: TK17N65W,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK17N65WS1F-ND
Price: 4.73478 CHF
Availability: OutOfStock

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TK17N65W,S1F
Codice DigiKey	TK17N65WS1F-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK17N65W,S1F
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 17,3 A (Ta) 165W (Tc) Foro passante TO-247
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK17N65W,S1F Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	17,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	200mohm a 8,7A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 900µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1800 pF @ 300 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	165W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	TK17N65

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.38000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.73478

TK17N65W,S1F