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TO-247-3 AC EP
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SIHG21N65EF-GE3

Codice DigiKey
SIHG21N65EF-GE3-ND
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIHG21N65EF-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante TO-247AC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIHG21N65EF-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
21 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
180mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2322 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
208W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-247AC
Contenitore/involucro
TO-247-3
Codice componente base
SIHG21
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Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.14829