
TK20N60W,S1VF | |
|---|---|
Codice DigiKey | TK20N60WS1VF-ND |
Produttore | |
Codice produttore | TK20N60W,S1VF |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 20 A (Ta) 165W (Tc) Foro passante TO-247 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | TK20N60W,S1VF Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,7V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1680 pF @ 300 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 165W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-247 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 155mohm a 10A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | 129 | IPW60R190C6FKSA1-ND | Fr. 4.39000 | Simile |
| IXTH20N65X2 | IXYS | 111 | 238-IXTH20N65X2-ND | Fr. 7.03000 | Simile |
| IXTH24N65X2 | IXYS | 326 | IXTH24N65X2-ND | Fr. 7.03000 | Simile |
| SIHG22N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 489 | SIHG22N60E-GE3-ND | Fr. 4.45000 | Simile |
| STW24N60DM2 | STMicroelectronics | 678 | 497-14582-5-ND | Fr. 3.65000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 5.54000 | Fr. 5.54 |
| 30 | Fr. 3.16933 | Fr. 95.08 |
| 120 | Fr. 2.64750 | Fr. 317.70 |
| 510 | Fr. 2.26502 | Fr. 1’155.16 |
| 1’020 | Fr. 2.12549 | Fr. 2’168.00 |
| 2’010 | Fr. 2.08869 | Fr. 4’198.27 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 5.54000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 5.98874 |

