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TK9P65W,RQ

Codice DigiKey
TK9P65WRQTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore
TK9P65W,RQ
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 9,3 A (Ta) 80W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
TK9P65W,RQ Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
560mohm a 4,6A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 350µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
700 pF @ 300 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
80W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DPAK
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
TK9P65
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’000Fr. 0.76900Fr. 1’538.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.76900
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.83129