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TK9P65W,RQ | |
|---|---|
Codice DigiKey | TK9P65WRQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | TK9P65W,RQ |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 9,3 A (Ta) 80W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | TK9P65W,RQ Modelli |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 350µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 700 pF @ 300 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 560mohm a 4,6A, 10V |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCD600N60Z | onsemi | 15’043 | FCD600N60ZCT-ND | Fr. 2.37000 | Simile |
| IPD60R520C6BTMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPD60R520C6BTMA1TR-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| IPD60R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPD60R600C6BTMA1TR-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | 36’428 | IPD60R600P7SAUMA1CT-ND | Fr. 0.90000 | Simile |
| IXFY8N65X2 | IXYS | 44 | IXFY8N65X2-ND | Fr. 3.34000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’000 | Fr. 0.92254 | Fr. 1’845.08 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.92254 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.99727 |
