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Canale N 600 V 8,1 A (Tc) 66W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD60R520C6BTMA1

Codice DigiKey
IPD60R520C6BTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IPD60R520C6BTMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 8,1 A (Tc) 66W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
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Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
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Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Dissipazione di potenza (max)
66W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
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Codice componente base
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520mohm a 2,8A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
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Altre risorse
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Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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