Name: TRS8E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS8E65H,S1Q-ND
Price: 2.86465 CHF
Availability: InStock

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TRS8E65H,S1Q
Codice DigiKey	264-TRS8E65H,S1Q-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TRS8E65H,S1Q
Descrizione	DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 8A Foro passante TO-220-2L
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	650 V
Corrente - Media rettificata (Io)	8A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.35 V @ 8 A
Tempo di recupero inverso (Trr)	0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	90 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F	520pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	TO-220-2
Contenitore del fornitore	TO-220-2L
Temp. di funzionamento - Giunzione	175°C

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 2.65000	Fr. 2.65
50	Fr. 1.29520	Fr. 64.76
100	Fr. 1.23320	Fr. 123.32
500	Fr. 1.12942	Fr. 564.71

Contenitore standard del produttore

Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.65000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.86465

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