Name: XPH3R114MC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH3R114MCL1XHQTR-ND
Price: 1.98904 CHF
Availability: InStock

Canale P 40 V 100 A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5)

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XPH3R114MC,L1XHQ
Codice DigiKey	264-XPH3R114MCL1XHQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-XPH3R114MCL1XHQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-XPH3R114MCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	XPH3R114MC,L1XHQ
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 100 A (Ta) 960mW (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOP Advance (5x5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	XPH3R114MC,L1XHQ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 230 nC @ 10 V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) +10V, -20V
Serie U-MOSVI	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9500 pF @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento 175°C
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 3,1mohm a 50A, 10V	Codice componente base XPH3R114
Vgs(th) max a Id 2,1V a 1mA