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BZT52C8V2-HE3-08 è obsoleto e non è più in produzione.
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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BZT52C8V2-HE3-08 | |
|---|---|
Codice DigiKey | BZT52C8V2-HE3-08-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BZT52C8V2-HE3-08 |
Descrizione | DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi - Zener 8.2 V 410 mW ±5% A montaggio superficiale SOD-123 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 nA @ 6 V |
Produttore | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C |
Serie | Grado Automobilistico |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Qualifica AEC-Q101 |
Stato componente Obsoleto | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Zener (Vz) nom. | Contenitore/involucro |
Tolleranza ±5% | Contenitore del fornitore SOD-123 |
Potenza - Max 410 mW | Codice componente base |
Impedenza (max) (Zzt) 7 Ohms |
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Sostituti (13)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52C8V2-HE3_A-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZT52C8V2-HE3_A-08TR-ND | Fr. 0.04348 | Consigliato dal produttore |
| BZT52-C8V2-AU_R1_000A1 | Panjit International Inc. | 3’000 | 3757-BZT52-C8V2-AU_R1_000A1CT-ND | Fr. 0.14000 | Simile |
| BZT52C8V2-7-F | Diodes Incorporated | 0 | BZT52C8V2-FDICT-ND | Fr. 0.18000 | Simile |
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| BZV55C8V2 | Microchip Technology | 0 | BZV55C8V2-ND | Fr. 2.58585 | Simile |
Obsoleto
