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P6SMB8.2AHE3/5B
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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P6SMB8.2A-E3/5B
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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P6SMB8.2AHE3/52
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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P6SMB8.2AHM3_B/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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TPSMB8.2AHE3_A/I
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TPSMB8.2AHM3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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TPSMB8.2AHM3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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P6SMB8.2A-E3/52

Codice DigiKey
P6SMB8.2A-E3/52GITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
P6SMB8.2A-E3/52
Descrizione
TVS DIODE 7.02VWM 12.1V DO214AA
Tempi di consegna standard del produttore
10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
12,1V Fascetta 49,6 A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-214AA (SMB)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
P6SMB, TransZorb®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo
Zener
Canali unidirezionali
1
Tensione - Interdizione inversa (tip.)
7,02V
Tensione - Rottura (min)
7,79V
Tensione - Tenuta (max) a Ipp
12,1V
Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs)
49,6 A
Potenza - Impulso di picco
600W
Protezione linea di alimentazione
No
Applicazioni
Uso generale
Capacità a frequenza
-
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DO-214AA, SMB
Contenitore del fornitore
DO-214AA (SMB)
Codice componente base
P6SMB8.2
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.08503Fr. 255.09
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.08503
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.09192