Name: V10P22-M3/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-V10P22-M3/ITR-ND
Price: 0.28117 CHF
Availability: OutOfStock

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V10P22-M3/I
Codice DigiKey	112-V10P22-M3/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore	V10P22-M3/I
Descrizione	DIODE SCHOTTKY 200V 3.1A TO277A
Tempi di consegna standard del produttore	47 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 200 V 3,1A A montaggio superficiale TO-277A (SMPC)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tecnologia	Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	200 V
Corrente - Media rettificata (Io)	3,1A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	900 mV @ 10 A
Velocità	Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr	150 µA @ 200 V
Capacità a Vr, F	500pF a 4V, 1MHz
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-277, 3-PowerDFN
Contenitore del fornitore	TO-277A (SMPC)
Temp. di funzionamento - Giunzione	-40°C ~ 175°C

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
6’500	Fr. 0.26010	Fr. 1’690.65
13’000	Fr. 0.24760	Fr. 3’218.80

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.26010
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.28117

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