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V10P22HM3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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V10P22-M3/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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V10P22-M3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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V10P22HM3/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 6’526
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V10P22HM3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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V12P22-M3/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 1’076
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V12P22-M3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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V12P22HM3/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 2’451
Prezzo unitario : Fr. 1.92000
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V12P22HM3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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V12P22HM3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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TO-277A
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TO-277A
TO-277A

V10P22HM3/I

Codice DigiKey
112-V10P22HM3/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
V10P22HM3/I
Descrizione
DIODE SCHOTTKY 200V 3.1A TO277A
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 200 V 3,1A A montaggio superficiale TO-277A (SMPC)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Fuori produzione presso Digi-Key
Tecnologia
Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
200 V
Corrente - Media rettificata (Io)
3,1A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
900 mV @ 10 A
Velocità
Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr
150 µA @ 200 V
Capacità a Vr, F
500pF a 4V, 1MHz
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-277, 3-PowerDFN
Contenitore del fornitore
TO-277A (SMPC)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-40°C ~ 175°C
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
6’500Fr. 0.31207Fr. 2’028.46
13’000Fr. 0.29767Fr. 3’869.71
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.31207
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.33735