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Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico

VS-8TQ100STRL-M3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 7’937
Prezzo unitario : Fr. 1.26000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

VS-8TQ100STRR-M3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 7’900
Prezzo unitario : Fr. 1.24000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

VS-8TQ100STRRHM3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.67783
Scheda tecnica

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VS-8TQ100STRLHM3

Codice DigiKey
112-VS-8TQ100STRLHM3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
VS-8TQ100STRLHM3
Descrizione
DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263AB
Tempi di consegna standard del produttore
15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 100 V 8A A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
100 V
Corrente - Media rettificata (Io)
8A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
720 mV @ 8 A
Velocità
Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr
550 µA @ 80 V
Capacità a Vr, F
500pF a 5V, 1MHz
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore
TO-263AB (D2PAK)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55°C ~ 175°C
Codice componente base
8TQ100
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800Fr. 0.58176Fr. 465.41
1’600Fr. 0.57600Fr. 921.60
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.58176
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.62888