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Equivalente parametrico

VS-8TQ100STRL-M3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 7’937
Prezzo unitario : Fr. 1.26000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

VS-8TQ100STRLHM3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.58176
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

VS-8TQ100STRR-M3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-8TQ100STRRHM3

Codice DigiKey
112-VS-8TQ100STRRHM3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
VS-8TQ100STRRHM3
Descrizione
DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263AB
Tempi di consegna standard del produttore
15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 100 V 8A A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
100 V
Corrente - Media rettificata (Io)
8A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
720 mV @ 8 A
Velocità
Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr
550 µA @ 80 V
Capacità a Vr, F
500pF a 5V, 1MHz
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore
TO-263AB (D2PAK)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55°C ~ 175°C
Codice componente base
8TQ100
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800Fr. 0.67783Fr. 542.26
1’600Fr. 0.62744Fr. 1’003.90
2’400Fr. 0.60178Fr. 1’444.27
4’000Fr. 0.58180Fr. 2’327.20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.67783
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.73273