
SI2300DS-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI2300DS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2300DS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2300DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2300DS-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 3,6 A (Tc) 1,1W (Ta), 1,7W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI2300DS-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 2,5V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 68mohm a 2,9A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 10 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 320 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 1,1W (Ta), 1,7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.26000 | Fr. 0.26 |
10 | Fr. 0.15500 | Fr. 1.55 |
100 | Fr. 0.14850 | Fr. 14.85 |
500 | Fr. 0.14264 | Fr. 71.32 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.11016 | Fr. 330.48 |
6’000 | Fr. 0.09710 | Fr. 582.60 |
9’000 | Fr. 0.09221 | Fr. 829.89 |
15’000 | Fr. 0.09000 | Fr. 1’350.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.26000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.28106 |