
SI7157DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI7157DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7157DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7157DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7157DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 60 A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7157DP-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 2,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,6mohm a 25A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 1,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 625 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±12V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 22000 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6,25W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.55000 | Fr. 1.55 |
| 10 | Fr. 1.06800 | Fr. 10.68 |
| 100 | Fr. 0.72310 | Fr. 72.31 |
| 500 | Fr. 0.57542 | Fr. 287.71 |
| 1’000 | Fr. 0.54590 | Fr. 545.90 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.46762 | Fr. 1’402.86 |
| 6’000 | Fr. 0.44600 | Fr. 2’676.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.55000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.67555 |











