Name: SI2305CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2305CDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.49726 CHF
Availability: InStock

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SI2305CDS-T1-GE3
Codice DigiKey	SI2305CDS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2305CDS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2305CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI2305CDS-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 8 V 5,8 A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI2305CDS-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	8 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,8 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	35mohm a 4,4A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	30 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	960 pF @ 4 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	960mW (Ta), 1,7W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	SI2305

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Nastrato in bobina (TR)