
SI2329DS-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI2329DS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2329DS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2329DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2329DS-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 8 V 6 A (Tc) 2,5W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI2329DS-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 8 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,2V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 30mohm a 5,3A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 800mV a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 29 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1485 pF @ 4 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.56000 | Fr. 0.56 |
| 10 | Fr. 0.37600 | Fr. 3.76 |
| 100 | Fr. 0.30940 | Fr. 30.94 |
| 500 | Fr. 0.23796 | Fr. 118.98 |
| 1’000 | Fr. 0.21493 | Fr. 214.93 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.18568 | Fr. 557.04 |
| 6’000 | Fr. 0.17095 | Fr. 1’025.70 |
| 9’000 | Fr. 0.15792 | Fr. 1’421.28 |
| 15’000 | Fr. 0.15502 | Fr. 2’325.30 |
| 21’000 | Fr. 0.15003 | Fr. 3’150.63 |
| 30’000 | Fr. 0.15000 | Fr. 4’500.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.56000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.60536 |










