
SI2306BDS-T1-E3 | |
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Codice DigiKey | SI2306BDS-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2306BDS-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2306BDS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2306BDS-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 3,16 A (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI2306BDS-T1-E3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 47mohm a 3,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 4.5 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 305 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 750mW (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.43000 | Fr. 0.43 |
10 | Fr. 0.26900 | Fr. 2.69 |
100 | Fr. 0.22770 | Fr. 22.77 |
500 | Fr. 0.21884 | Fr. 109.42 |
1’000 | Fr. 0.19739 | Fr. 197.39 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.15667 | Fr. 470.01 |
6’000 | Fr. 0.14688 | Fr. 881.28 |
9’000 | Fr. 0.13709 | Fr. 1’233.81 |
15’000 | Fr. 0.13687 | Fr. 2’053.05 |
21’000 | Fr. 0.13500 | Fr. 2’835.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.43000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.46483 |