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SI2308BDS-T1-E3 è obsoleto e non è più in produzione.
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SI2308BDS-T1-E3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI2308BDS-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2308BDS-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2308BDS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2308BDS-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 2,3 A (Tc) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.8 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 190 pF @ 30 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 156mohm a 1,9A, 10V |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SI2308BDS-T1-BE3 | Vishay Siliconix | 10 | 742-SI2308BDS-T1-BE3CT-ND | Fr. 0.68000 | Diretto |
| SI2308CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SI2308CDS-T1-GE3CT-ND | Fr. 0.43000 | Consigliato dal produttore |
| NTR5198NLT1G | onsemi | 51’220 | NTR5198NLT1GOSCT-ND | Fr. 0.35000 | Simile |
| RQ5L015SPTL | Rohm Semiconductor | 0 | RQ5L015SPTLCT-ND | Fr. 0.62000 | Simile |
| RQ5L020SNTL | Rohm Semiconductor | 4’630 | RQ5L020SNTLCT-ND | Fr. 0.72000 | Simile |
Obsoleto
