
SI4134DY-T1-GE3 | |
---|---|
Codice DigiKey | SI4134DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4134DY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4134DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4134DY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 14A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 14 A (Tc) 2,5W (Ta), 5W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4134DY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 14mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 846 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
1 | Fr. 0.86000 | Fr. 0.86 |
10 | Fr. 0.58600 | Fr. 5.86 |
100 | Fr. 0.38600 | Fr. 38.60 |
500 | Fr. 0.29948 | Fr. 149.74 |
1’000 | Fr. 0.27160 | Fr. 271.60 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
2’500 | Fr. 0.24142 | Fr. 603.55 |
5’000 | Fr. 0.22276 | Fr. 1’113.80 |
7’500 | Fr. 0.22109 | Fr. 1’658.17 |
12’500 | Fr. 0.20430 | Fr. 2’553.75 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.86000 |
---|---|
Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.92966 |