
SI4143DY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI4143DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4143DY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | SI4143DY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 25,3 A (Tc) 6W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4143DY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 6,2mohm a 12A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 167 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 6630 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 6W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TA) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.87000 | Fr. 0.87 |
10 | Fr. 0.58400 | Fr. 5.84 |
100 | Fr. 0.38380 | Fr. 38.38 |
500 | Fr. 0.29766 | Fr. 148.83 |
1’000 | Fr. 0.26994 | Fr. 269.94 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.23990 | Fr. 599.75 |
5’000 | Fr. 0.22133 | Fr. 1’106.65 |
7’500 | Fr. 0.21187 | Fr. 1’589.03 |
12’500 | Fr. 0.20125 | Fr. 2’515.62 |
17’500 | Fr. 0.19850 | Fr. 3’473.75 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.87000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.94047 |