
SI4214DDY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI4214DDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4214DDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4214DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4214DDY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 8,5A 3,1W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4214DDY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 8,5A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 19,5mohm a 8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 22nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 660pF a 15V | |
Potenza - Max | 3,1W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.72000 | Fr. 0.72 |
10 | Fr. 0.49500 | Fr. 4.95 |
100 | Fr. 0.33860 | Fr. 33.86 |
500 | Fr. 0.26908 | Fr. 134.54 |
1’000 | Fr. 0.24358 | Fr. 243.58 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.21717 | Fr. 542.92 |
5’000 | Fr. 0.19888 | Fr. 994.40 |
7’500 | Fr. 0.19013 | Fr. 1’425.97 |
12’500 | Fr. 0.18040 | Fr. 2’255.00 |
17’500 | Fr. 0.17500 | Fr. 3’062.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.72000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.77832 |