SIS903DN-T1-GE3
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SISB46DN-T1-GE3

Codice DigiKey
SISB46DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SISB46DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SISB46DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SISB46DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Tempi di consegna standard del produttore
28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 40V 34 A (Tc) 23W A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SISB46DN-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
40V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
34 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
11,71mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1100pF a 20V
Potenza - Max
23W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® 1212-8 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8 doppio
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 4’979
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.01000Fr. 1.01
10Fr. 0.63100Fr. 6.31
100Fr. 0.42360Fr. 42.36
500Fr. 0.32984Fr. 164.92
1’000Fr. 0.29965Fr. 299.65
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.26130Fr. 783.90
6’000Fr. 0.24226Fr. 1’453.56
9’000Fr. 0.23520Fr. 2’116.80
15’000Fr. 0.22550Fr. 3’382.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.01000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.09181