
SISB46DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SISB46DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SISB46DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SISB46DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SISB46DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 34 A (Tc) 23W A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SISB46DN-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 40V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 34 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 11,71mohm a 5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 11nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1100pF a 20V | |
Potenza - Max | 23W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® 1212-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 doppio | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.01000 | Fr. 1.01 |
| 10 | Fr. 0.63100 | Fr. 6.31 |
| 100 | Fr. 0.42360 | Fr. 42.36 |
| 500 | Fr. 0.32984 | Fr. 164.92 |
| 1’000 | Fr. 0.29965 | Fr. 299.65 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.26130 | Fr. 783.90 |
| 6’000 | Fr. 0.24226 | Fr. 1’453.56 |
| 9’000 | Fr. 0.23520 | Fr. 2’116.80 |
| 15’000 | Fr. 0.22550 | Fr. 3’382.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.01000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.09181 |








