Name: SI4532CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4532CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 0.91885 CHF
Availability: InStock

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SI4532CDY-T1-GE3
Codice DigiKey	SI4532CDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4532CDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4532CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4532CDY-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 6 A, 4,3 A 2,78W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI4532CDY-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6 A, 4,3 A
RDSon (max) a Id, Vgs	47mohm a 3,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	9nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	305pF a 15V
Potenza - Max	2,78W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Codice componente base	SI4532

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Nastrato in bobina (TR)