SI9407BDY-T1-GE3
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SI4599DY-T1-GE3

Codice DigiKey
SI4599DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4599DY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4599DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SI4599DY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore
10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 40V 6,8 A, 5,8 A 3W, 3,1W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI4599DY-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
40V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
6,8 A, 5,8 A
RDSon (max) a Id, Vgs
35,5mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
640pF a 20V
Potenza - Max
3W, 3,1W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Codice componente base
SI4599
Product Questions and Answers

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In magazzino: 3’159
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 0.92000Fr. 0.92
10Fr. 0.65000Fr. 6.50
100Fr. 0.43020Fr. 43.02
500Fr. 0.33514Fr. 167.57
1’000Fr. 0.30455Fr. 304.55
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.24970Fr. 624.25
5’000Fr. 0.24317Fr. 1’215.85
7’500Fr. 0.23868Fr. 1’790.10
12’500Fr. 0.23000Fr. 2’875.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.92000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.99452
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