Name: SI4840BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4840BDY-T1-E3TR-ND
Price: 1.22153 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI4840BDY-T1-E3
Codice DigiKey	SI4840BDY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4840BDY-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4840BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4840BDY-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 19 A (Tc) 2,5W (Ta), 6W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI4840BDY-T1-E3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	19 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	9mohm a 12,4A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2000 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 6W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	SI4840