FDS8447 onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDS8447
Codice DigiKey	FDS8447TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS8447CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS8447DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS8447
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 12,8 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 49 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2600 pF @ 20 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12,8 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDS84
RDSon (max) a Id, Vgs 10,5mohm a 12,8A, 10V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
AO4484	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	45’377	785-1202-1-ND	Fr. 0.80000	Simile
DMN3010LSS-13	Diodes Incorporated	1’879	31-DMN3010LSS-13CT-ND	Fr. 0.93000	Simile
RS6G100BGTB1	Rohm Semiconductor	2’263	846-RS6G100BGTB1CT-ND	Fr. 2.06000	Simile
RS6G120BGTB1	Rohm Semiconductor	2’081	846-RS6G120BGTB1CT-ND	Fr. 3.59000	Simile
SI4840BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	16’426	SI4840BDY-T1-E3CT-ND	Fr. 1.84000	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 0.88000	Fr. 0.88

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.88000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.95128

FDS8447