
SI7216DN-T1-E3 | |
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Codice DigiKey | SI7216DN-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7216DN-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7216DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7216DN-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 6A 20,8W A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7216DN-T1-E3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Produttore Vishay Siliconix | Carica del gate (Qg) max a Vgs 19nC a 10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 670pF a 20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 20,8W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8 doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 40V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 32mohm a 5A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.84000 | Fr. 1.84 |
| 10 | Fr. 1.17600 | Fr. 11.76 |
| 100 | Fr. 0.79870 | Fr. 79.87 |
| 500 | Fr. 0.63706 | Fr. 318.53 |
| 1’000 | Fr. 0.58510 | Fr. 585.10 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.51914 | Fr. 1’557.42 |
| 6’000 | Fr. 0.48596 | Fr. 2’915.76 |
| 9’000 | Fr. 0.46906 | Fr. 4’221.54 |
| 15’000 | Fr. 0.46740 | Fr. 7’011.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.84000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.98904 |





