Name: SI7450DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7450DP-T1-E3TR-ND
Price: 3.31867 CHF
Availability: OutOfStock

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SI7450DP-T1-E3
Codice DigiKey	SI7450DP-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7450DP-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7450DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7450DP-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 3,2 A (Ta) 1,9W (Ta) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI7450DP-T1-E3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 80mohm a 4A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 42 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,9W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 200 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,2 A (Ta)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base SI7450

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RJK2057DPA-00#J0	Renesas Electronics Corporation	0	RJK2057DPA-00#J0-ND	Fr. 0.00000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)

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3’000	Fr. 1.09566	Fr. 3’286.98

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.07000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.31867

SI7450DP-T1-E3