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SI7842DP-T1-E3 è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
SI7842DP-T1-E3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI7842DP-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SI7842DP-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 6,3A 1,4W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 6,3A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 22mohm a 7,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 20nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | - | |
Potenza - Max | 1,4W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 doppio | |
Codice componente base |
Obsoleto
Svizzera