Name: SI7898DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7898DP-T1-E3TR-ND
Price: 2.30253 CHF
Availability: InStock

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SI7898DP-T1-E3
Codice DigiKey	SI7898DP-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7898DP-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7898DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7898DP-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 3 A (Ta) 1,9W (Ta) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI7898DP-T1-E3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 85mohm a 3,5A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 21 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,9W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3 A (Ta)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base SI7898