
SI8819EDB-T2-E1 | |
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Codice DigiKey | SI8819EDB-T2-E1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI8819EDB-T2-E1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI8819EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI8819EDB-T2-E1 |
Descrizione | MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 12 V 2,9 A (Ta) 900mW (Ta) A montaggio superficiale 4-MICRO FOOT® (0,8x0,8) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 12 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,5V, 3,7V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 80mohm a 1,5A, 3,7V | |
Vgs(th) max a Id | 900mV a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 17 nC @ 8 V | |
Vgs (max) | ±8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 650 pF @ 6 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 4-MICRO FOOT® (0,8x0,8) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.35000 | Fr. 0.35 |
10 | Fr. 0.27600 | Fr. 2.76 |
100 | Fr. 0.14690 | Fr. 14.69 |
500 | Fr. 0.13232 | Fr. 66.16 |
1’000 | Fr. 0.11834 | Fr. 118.34 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.09710 | Fr. 291.30 |
6’000 | Fr. 0.08446 | Fr. 506.76 |
9’000 | Fr. 0.07181 | Fr. 646.29 |
15’000 | Fr. 0.07110 | Fr. 1’066.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.35000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.37835 |