
SIA427ADJ-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIA427ADJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIA427ADJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIA427ADJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIA427ADJ-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6 |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 8 V 12 A (Tc) 19W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIA427ADJ-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 800mV a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 50 nC @ 5 V |
Serie | Vgs (max) ±5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2300 pF @ 4 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 19W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 8 V | Contenitore del fornitore PowerPAK® SC-70-6 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,2V, 4,5V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 16mohm a 8,2A, 4,5V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.68000 | Fr. 0.68 |
| 10 | Fr. 0.42100 | Fr. 4.21 |
| 100 | Fr. 0.27180 | Fr. 27.18 |
| 500 | Fr. 0.20772 | Fr. 103.86 |
| 1’000 | Fr. 0.18706 | Fr. 187.06 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.16079 | Fr. 482.37 |
| 6’000 | Fr. 0.14755 | Fr. 885.30 |
| 9’000 | Fr. 0.14081 | Fr. 1’267.29 |
| 15’000 | Fr. 0.13323 | Fr. 1’998.45 |
| 21’000 | Fr. 0.12875 | Fr. 2’703.75 |
| 30’000 | Fr. 0.12439 | Fr. 3’731.70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.68000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.73508 |




