
SIR424DP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIR424DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR424DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR424DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR424DP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 20 V 30 A (Tc) 4,8W (Ta), 41,7W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIR424DP-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 5,5mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 35 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1250 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 4,8W (Ta), 41,7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.97000 | Fr. 0.97 |
10 | Fr. 0.64100 | Fr. 6.41 |
100 | Fr. 0.48630 | Fr. 48.63 |
500 | Fr. 0.38158 | Fr. 190.79 |
1’000 | Fr. 0.34755 | Fr. 347.55 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.30433 | Fr. 912.99 |
6’000 | Fr. 0.28459 | Fr. 1’707.54 |
9’000 | Fr. 0.28224 | Fr. 2’540.16 |
15’000 | Fr. 0.27000 | Fr. 4’050.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.97000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.04857 |