SIA527DJ-T1-GE3
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SIA519EDJ-T1-GE3

Codice DigiKey
SIA519EDJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIA519EDJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIA519EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIA519EDJ-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Tempi di consegna standard del produttore
19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 4,5A 7,8W A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 doppio
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIA519EDJ-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4,5A
RDSon (max) a Id, Vgs
40mohm a 4,2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
350pF a 10V
Potenza - Max
7,8W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
PowerPAK® SC-70-6 doppio
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SC-70-6 doppio
Codice componente base
SIA519
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In magazzino: 254’168
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 0.55000Fr. 0.55
10Fr. 0.38500Fr. 3.85
100Fr. 0.28540Fr. 28.54
500Fr. 0.21884Fr. 109.42
1’000Fr. 0.19739Fr. 197.39
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.14460Fr. 433.80
6’000Fr. 0.13500Fr. 810.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.55000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.59455
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