SIDR668DP-T1-GE3
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SIDR668DP-T1-GE3
SIDR668DP-T1-GE3

SIDR500EP-T1-RE3

Codice DigiKey
742-SIDR500EP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SIDR500EP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-SIDR500EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SIDR500EP-T1-RE3
Descrizione
N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 94A (Ta), 421A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8DC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SIDR500EP-T1-RE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
0,47mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max)
+16V, -12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
8960 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
7,5W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8DC
Contenitore/involucro
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In magazzino: 924
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 3.53000Fr. 3.53
10Fr. 2.32800Fr. 23.28
100Fr. 1.64630Fr. 164.63
500Fr. 1.51396Fr. 756.98
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 1.23690Fr. 3’710.70
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 3.53000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 3.81593