SIHB22N60E-GE3 è esaurito e può essere richiesto per un ordine arretrato.
Sostituti disponibili:

Simile

R6020KNJTL
Rohm Semiconductor
In magazzino: 3’386
Prezzo unitario : Fr. 3.57000
Scheda tecnica

Simile

R6024KNJTL
Rohm Semiconductor
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 3.94000
Scheda tecnica

Simile

STB21N65M5
STMicroelectronics
In magazzino: 4’504
Prezzo unitario : Fr. 4.58000
Scheda tecnica

Simile

STB24N60DM2
STMicroelectronics
In magazzino: 1’000
Prezzo unitario : Fr. 3.10000
Scheda tecnica

Simile

STB24N60M2
STMicroelectronics
In magazzino: 880
Prezzo unitario : Fr. 2.87000
Scheda tecnica

Simile

STB26NM60N
STMicroelectronics
In magazzino: 1’942
Prezzo unitario : Fr. 6.50000
Scheda tecnica

Simile

STB28NM60ND
STMicroelectronics
In magazzino: 1’427
Prezzo unitario : Fr. 5.58000
Scheda tecnica

Simile

STB30N65M5
STMicroelectronics
In magazzino: 1’166
Prezzo unitario : Fr. 5.79000
Scheda tecnica

Simile

STB31N65M5
STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.47350
Scheda tecnica
Visualizza e confronta tutti i componenti sostitutivi
TO-263-3
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
TO-263-3
TO-263-3

SIHB22N60E-GE3

Codice DigiKey
SIHB22N60E-GE3-ND
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIHB22N60E-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
21 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
180mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1920 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
227W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
SIHB22
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

0 in magazzino
Verifica i tempi di consegna
Richiedi notifica di giacenza
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 4.03000Fr. 4.03
50Fr. 2.09560Fr. 104.78
100Fr. 1.90830Fr. 190.83
500Fr. 1.58048Fr. 790.24
1’000Fr. 1.48000Fr. 1’480.00
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 4.03000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 4.35643