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SIHB33N60ET5-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHB33N60ET5-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SIHB33N60ET5-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 33A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 150 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3508 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 99mohm a 16,5A, 10V |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB33N60E-GE3-ND | Fr. 5.69000 | Equivalente parametrico |
| SIHB33N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB33N60ET1-GE3CT-ND | Fr. 5.69000 | Equivalente parametrico |
| FCB110N65F | onsemi | 651 | FCB110N65FCT-ND | Fr. 6.48000 | Simile |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 2.14225 | Fr. 1’713.80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.14225 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.31577 |
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