Name: SQJ910AEP-T2_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ910AEP-T2_GE3TR-ND
Price: 0.43005 CHF
Availability: OutOfStock

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SQJ910AEP-T2_GE3
Codice DigiKey	742-SQJ910AEP-T2_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQJ910AEP-T2_GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 30 A (Tc) 48W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQJ910AEP-T2_GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	7mohm a 12A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	39nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1869pF a 15V
Potenza - Max	48W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SO-8 doppio
Codice componente base	SQJ910

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Nastrato in bobina (TR)