Name: SPW20N60C3FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPW20N60C3FKSA1-ND
Price: 4.70235 CHF
Availability: InStock

Canale N 650 V 20,7 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1

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SPW20N60C3FKSA1
Codice DigiKey	448-SPW20N60C3FKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPW20N60C3FKSA1
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 20,7 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPW20N60C3FKSA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,9V a 1mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 114 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2400 pF @ 25 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TO247-3-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20,7 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base SPW20N60
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 13,1A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STW70N65M2	STMicroelectronics	0	STW70N65M2-ND	Fr. 6.17265	Diretto
FCH190N65F-F155	onsemi	381	FCH190N65F-F155-ND	Fr. 6.35000	Simile
IRFP460APBF	Vishay Siliconix	3’819	IRFP460APBF-ND	Fr. 4.92000	Simile
IRFP460LCPBF	Vishay Siliconix	587	IRFP460LCPBF-ND	Fr. 10.15000	Simile
IRFP460PBF	Vishay Siliconix	19’664	IRFP460PBF-ND	Fr. 7.41000	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 4.35000	Fr. 4.35
30	Fr. 2.43967	Fr. 73.19
120	Fr. 2.01700	Fr. 242.04
510	Fr. 1.70704	Fr. 870.59
1’020	Fr. 1.69207	Fr. 1’725.91

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