Name: SIHP12N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP12N65E-GE3-ND
Price: 2.68088 CHF
Availability: OutOfStock

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SIHP12N65E-GE3
Codice DigiKey	SIHP12N65E-GE3-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIHP12N65E-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 12 A (Tc) 156W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIHP12N65E-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	380mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1224 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	156W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220AB
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	SIHP12

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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10	Fr. 1.60800	Fr. 16.08
100	Fr. 1.11340	Fr. 111.34
500	Fr. 0.90196	Fr. 450.98
1’000	Fr. 0.83402	Fr. 834.02
2’000	Fr. 0.77689	Fr. 1’553.78
5’000	Fr. 0.76500	Fr. 3’825.00

Contenitore standard del produttore

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