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AOT11S65L | |
|---|---|
Codice DigiKey | 785-1510-5-ND |
Produttore | |
Codice produttore | AOT11S65L |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11A TO220 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 11 A (Tc) 198W (Tc) Foro passante TO-220 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 13.2 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 646 pF @ 100 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 198W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-220 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 399mohm a 5,5A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP12N65X2 | IXYS | 0 | IXTP12N65X2-ND | Fr. 1.93087 | Diretto |
| FCP380N60 | onsemi | 2’299 | 1990-FCP380N60-ND | Fr. 3.22000 | Simile |
| IPP60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | 990 | 448-IPP60R299CPXKSA1-ND | Fr. 2.50000 | Simile |
| IXFP22N60P3 | IXYS | 219 | IXFP22N60P3-ND | Fr. 5.90000 | Simile |
| SIHP12N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP12N65E-GE3-ND | Fr. 2.58000 | Simile |








